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ganational是美国加州大学人员创办，专注于第三代半导体gan氮化镓研发和销售的一站式解决方案供应商。公司在gan氮化镓领域拥有外延片材料、电路架构设计、工艺技术开发、高效散热封装等核心技术和专利。公司拥有v、v、v及v、v不同平台gan氮化镓产品，其具有高可靠性、高稳定性、低漏电流、高开关频率、高转换效率等特色优势。公司gan氮化镓产品可以在大功率充电、户外电源、移动电源、光伏储能、数据中心、东数西算、g通信、激光雷达、电动汽车等领域广泛应用。公司研发团队硕士博士人员占比超过%，来自德州仪器、英飞凌、意法半导体、transphorm、gansystems、navitas、epc等企业和美国加州大学、加拿大多伦多大学、香港科技大学、电子科技大学、复旦大学、浙江大学等知名高校。年全球功率半导体市场规模约亿元，其中中国市场约亿元，目前氮化镓在功率半导体中的渗透率不到%。随着全球对能源、能耗的重视以及中国的"双碳"目标，性能更优、成本相当的氮化镓功率器件会得到更加广泛的应用，未来五年氮化镓在功率半导体的应用渗透率会有望提高到%。 ganationalsemiconductorisafablitecompanyfocusingonthethirdgenerationsemiconductormaterialganganpowerdevicesandpowerics.thecompanyhasmasteredthecoretechnologyofthewholeindustrychainintermsofgalliumnitridematerialcharacteristics,substratematerials,epitaxialwafergrowth,device/chipdesign,fabmanufacturingprocess,packagingprocess,etc.itsproductsareaimedatindustrialandvehiclespecificationmarkets,andarewidelyusedinmobilephones,largedatacenters,electricvehiclesandotherfields.in,theglobalpowersemiconductormarketwillbeaboutbillionyuan,ofwhichthechinesemarketwillbeaboutbillionyuan.atpresent,thepenetrationrateofganinpowersemiconductorwillbelessthan%.withtheglobalemphasisonenergyandenergyconsumptionandchina&#;s"doublecarbon"goal,galliumnitridepowerdeviceswithbetterperformanceandcomparablecostwillbemorewidelyused.theapplicationpenetrationofgalliumnitrideinpowersemiconductorsisexpectedtoincreaseto%inthenextfiveyears.

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关键词（KeyWords）	16 个字符（一般不超过100个字符）	国镓半导体,GaNational
描述（Description）	1423 个字符（一般不超过200个字符）	ganational是美国加州大学人员创办，专注于第三代半导体gan氮化镓研发和销售的一站式解决方案供应商。公司在gan氮化镓领域拥有外延片材料、电路架构设计、工艺技术开发、高效散热封装等核心技术和专利。公司拥有v、v、v及v、v不同平台gan氮化镓产品，其具有高可靠性、高稳定性、低漏电流、高开关频率、高转换效率等特色优势。公司gan氮化镓产品可以在大功率充电、户外电源、移动电源、光伏储能、数据中心、东数西算、g通信、激光雷达、电动汽车等领域广泛应用。公司研发团队硕士博士人员占比超过%，来自德州仪器、英飞凌、意法半导体、transphorm、gansystems、navitas、epc等企业和美国加州大学、加拿大多伦多大学、香港科技大学、电子科技大学、复旦大学、浙江大学等知名高校。年全球功率半导体市场规模约亿元，其中中国市场约亿元，目前氮化镓在功率半导体中的渗透率不到%。随着全球对能源、能耗的重视以及中国的"双碳"目标，性能更优、成本相当的氮化镓功率器件会得到更加广泛的应用，未来五年氮化镓在功率半导体的应用渗透率会有望提高到%。 ganationalsemiconductorisafablitecompanyfocusingonthethirdgenerationsemiconductormaterialganganpowerdevicesandpowerics.thecompanyhasmasteredthecoretechnologyofthewholeindustrychainintermsofgalliumnitridematerialcharacteristics,substratematerials,epitaxialwafergrowth,device/chipdesign,fabmanufacturingprocess,packagingprocess,etc.itsproductsareaimedatindustrialandvehiclespecificationmarkets,andarewidelyusedinmobilephones,largedatacenters,electricvehiclesandotherfields.in,theglobalpowersemiconductormarketwillbeaboutbillionyuan,ofwhichthechinesemarketwillbeaboutbillionyuan.atpresent,thepenetrationrateofganinpowersemiconductorwillbelessthan%.withtheglobalemphasisonenergyandenergyconsumptionandchina&#;s"doublecarbon"goal,galliumnitridepowerdeviceswithbetterperformanceandcomparablecostwillbemorewidelyused.theapplicationpenetrationofgalliumnitrideinpowersemiconductorsisexpectedtoincreaseto%inthenextfiveyears.

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