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注册人/机构：
Alibaba Cloud Computing Ltd. d/b/a HiChina (www.net.cn)
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| 备案信息 | 备案号：苏ICP备2022007342号 名称： 江苏镓宏半导体有限公司 性质：企业 审核时间：2023-09-28 更新 | |
| 网站信息 |
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| 标题（Title） | 51 个字符（一般不超过80个字符） |
江苏镓宏半导体有限公司(原金沙江半导体)-致力氮化镓HEMT(GaN HEMT)GaN功率器件技术研发
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| 关键词（KeyWords） | 255 个字符（一般不超过100个字符） |
氮化镓外延片、氮化镓HEMT器件、GaN HEMT、氮化镓晶体管、氮化镓高电子迁移率晶体管、氮化镓芯片、氮化镓FET、氮化镓HEMT器件、氮化镓功器件、氮化镓功率晶体管、GaN FET、GaN MOSFET、高电子迁移率晶体管，GaN HEMT，MODFET，氮化镓场效晶体管、氮化镓外延片、金沙江半导体、氮化镓芯片、氮化镓功率芯片、氮化镓汽车芯片、氮化镓电源、氮化镓逆变器、氮化镓充电器、氮化镓车用OBC、氮化镓车载电源、氮化镓逆变器、氮化镓IDC电源、氮化镓外延片-致力第三代半导体(氮化镓GaN)技术研发
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| 描述（Description） | 247 个字符（一般不超过200个字符） |
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域 (GaN HEMT、氮化镓晶体管、GaN FET、氮化镓HEMT器件、氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓HEMT等氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
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